2026年开年，存储芯片涨价潮持续升级，已从上游制造端全面传导至消费电子、AI硬件、AIoT终端等下游领域，引发终端产品涨价、出货量下修等连锁反应。  

存储芯片：价格飙涨，供给趋紧

行业数据显示，2026年第一季度通用型DRAM合约价格环比涨幅将达55%-60%，NAND闪存价格上涨33%-38%，消费级大容量QLC产品涨幅不低于40%。韩媒报道称，三星电子与SK海力士计划将2026年第一季度服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%-70%，并向个人电脑与智能手机DRAM客户提出相近幅度涨价方案。  

券商电子研究员分析指出，存储价格2023年三季度走出历史底部，2024年首轮强反弹，2024年四季度至2025年上半年经历“回调+品类分化”小周期后，2026年将迎来真正全面、宽基的强上行周期，核心驱动为需求错配、资本开支与技术迁移，周期或持续至2026年末甚至2027年。  

笔记本：龙头涨价，出货量预期下修

存储涨价压力已传导至消费电子领域，笔记本电脑等核心品类开启调价模式，头部厂商动作尤为明显。  

联想、戴尔、惠普等计划涨价，涨幅最高达20%。惠普CEO Enrique Lores警告，2026年下半年“可能尤其艰难”，必要时将上调价格。致电惠普销售热线获悉，2026年开年笔记本、PC等产品已涨价，因产品定位不同涨幅有差异；存储涨价幅度达3-4倍，“2025年末已开始涨价，跨年后涨幅明显扩大，后续涨价是必然的”。  

联想官网显示，其5000元以上笔记本年初价格较2025年末涨价500-1500元不等；零售端商家称，2025年下旬已实施涨价方案，涨幅约5%-10%。华硕12月30日签发《2026年产品价格调整说明函》，宣布2026年1月5日起针对部分产品组合策略性调价；树莓派也因LPDDR4内存成本上涨，上调Raspberry Pi 4和Pi 5多款产品价格，Pi 4的4GB和8GB版本分别从55美元、75美元涨至60美元、85美元，Pi 5各版本最高涨幅25美元。  

台湾工商时报援引业内消息称，模组厂颗粒短缺与下游配货压力大，大型模组厂实际获取颗粒量仅为原需求的30%-50%，手机与PC等传统应用被排至供货后端，多数品牌厂2026年仅能获取原定供应量的50%-70%。  

涨价潮侵蚀终端盈利能力及定价弹性，出货量预期同步下调。TrendForce集邦咨询下修2026年全球智能手机生产出货预期，从年增0.1%调整为年减2%；下修全球笔电出货为年减5.4%，不排除扩大至年减10.1%。其表示，若2026年第二季存储器价格涨幅未合理收敛，品牌无法顺利转嫁成本，低阶、消费型笔电需求或进一步走弱。  

手机：提价潮延续，AI眼镜毛利承压

手机行业已明确出现因存储涨价导致的终端提价潮，2025年底多家厂商上调新品价格，2026年趋势或延续。  

IDC预测，2026年智能手机平均售价将升至465美元，整体市场营收达5789亿美元创历史新高。涨价核心诱因为存储成本飙升，内存半导体在智能手机成本占比从10%-15%升至20%以上，中低端手机存储成本占比近30%，部分千元机陷入负毛利区间。  

国内市场方面，红米K90系列、iQOO 15等新款机型较上一代涨价100-600元不等，联想、OPPO等中端机型普遍上调售价，部分涨幅达20%。  

存储厂商江波龙称，产能正常运行，产品价格跟随上游供应商报价调整，年初提价节奏尚不明确；普冉股份表示，公司以NOR Flash小容量内存为主，部分用于手机屏幕指纹解锁，占手机成本较小，影响有限。  

苹果因高度整合的供应链与品牌定价能力，在存储器成本上升压力下仍有较大产品线调整弹性，且凭借长期稳定采购规模等优势，在存储器原厂端取得较优先合作顺序。爱建证券研报指出，iPhone 2025年完成存储容量升级后，2026年内存容量或再次升级，密集升级或助推全球存储芯片市场涨价周期延续。  

AI眼镜领域暂未因存储涨价普遍调价，但成本上涨或影响毛利。近日，智能眼镜首次被纳入数码和智能产品购新补贴范围，叠加电商优惠，多款主流机型价格不升反降（如XREAL 1S售价较前代降50美元，雷鸟眼镜Air 4 Pro优惠后降至1617.85元）。有智能硬件产品负责人表示，存储涨价影响全行业，AI眼镜对存储容量和性能要求相对较低，市场心智较弱，或影响产品毛利，具体取决于各家定价或经营策略。  

AIoT芯片：承压可控，产业链企业迎机遇

相较于消费电子终端，AIoT芯片厂商受存储涨价影响呈现差异化特征。  

端侧AIoT芯片企业瑞芯微表示，因DDR4存储芯片供应短缺、价格暴涨，部分客户中高端AIoT产品存储方案从DDR4向DDR5转型，订单节奏短期受影响已基本消除；存储芯片缺货、涨价影响终端客户需求，但对新质生产力产品影响不大，AIoT增长势头明确，将抵消不利影响，公司看好AIoT长期发展。  

另有研究员指出，随着DDR4逐步退出，需求转向DDR5/DDR6，DDR5速率拉升、架构复杂，DDR6世代内存接口芯片使用量及单颗复杂度、价值量有望提升，行业正讨论采用LPDDR颗粒做内存模组用于服务器/数据中心，将扩大接口芯片TAM；中期看，2027年DDR6商用后，通用DRAM领域ASP与附加值将迎来结构性抬升，与HBM共同支撑DRAM行业收入与利润率中枢上移。  

头部AIoT芯片企业乐鑫科技称，其使用的主要是Nor Flash，平均占营收比重10%左右，因Flash单价绝对值不高，涨价对下游需求影响不大，公司会提前与供应商沟通产能，优化库存结构，保障关键型号连续供应，对下游保持稳定供应与合理定价。普冉股份也表示，下游客户多为AIoT厂商，NOR Flash价格涨幅不高，对成本提升影响较小。  

与消费电子终端和AIoT芯片公司不同，存储产业链多个环节企业已从价格飙升中受益。芯片测试技术服务商利扬芯片表示，部分产品线测试产能紧张，有客户主动要求涨价以获得产量，公司将根据战略发展决定；长川科技、中科飞测等同类企业同样迎来行业爆发期，存储芯片测试需求激增带动产能利用率攀升，长川科技称市场需求旺盛、订单充足，中科飞测表示3D AOI设备等多种设备已通过HBM先进封装工艺验证并批量销售，客户覆盖国内主要HBM厂商，订单量持续增长、在手订单充沛。  

上述研究员认为，在AI驱动的“超级周期”背景下，未来2-3年全球存储产业大概率处于价格中枢上移+技术迭代加速+国产替代提速的高景气阶段，DRAM/NAND特别是HBM的景气度有望延续，最佳投资区间集中在上游设备材料+下游企业级模组/利基DRAM+高端封测与测试三条主线。